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72.
Lina Mallozzi 《Operations Research Letters》2007,35(2):151-154
A noncooperative game theoretical approach is considered for the multifacility location problem. It turns out that the facility location game is a potential game in the sense of Monderer and Shapley and some properties of the game are studied. 相似文献
73.
Q. Liang 《Applied Surface Science》2006,252(13):4628-4631
We report a pulsed laser deposition (PLD) growth of VMn/CoCrPt bilayer with a magnetic coercivity (Hc) of 2.2 kOe and a grain size of 12 nm. The effects of VMn underlayer on magnetic properties of CoCrPt layer were studied. The coercivity, Hc, and squareness, S, of VMn/CoCrPt bilayer, is dependent on the thickness of VMn. The grain size of the CoCrPt film can also be modified by laser parameters. High laser fluence used for CoCrPt deposition produces a smaller grain size. Enhanced Hc and reduced grain size in VMn/CoCrPt is explained by more pronounced surface phase segregation during deposition at high laser fluence. 相似文献
74.
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道
关键词:
高电子迁移率晶体管
复合沟道
物理模型
磷化铟 相似文献
75.
环形光纤声发射传感器的相位调制特性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
提出了一种基于光纤Sagnac干涉仪的环形传感器,用于固体表面传播的超声波的检测.这种传感器的特点是能够精确地检测由固体表面传播的超声波产生的微弱振动.当超声波信号通过光纤传感器的两个臂到达探测器时,干涉仪的输出光强度受到了超声信号的调制.通过检测干涉仪的输出光强度并利用Fourier变换,测得了超声信号的振幅和频率.而且对传感系统的位相调制特性进行了仿真,并对实验结果进行了分析,结果表明该系统可用于固体表面传播的超声波频率特征的识别. 相似文献
76.
77.
Liang Zhao 《Tetrahedron letters》2006,47(19):3291-3294
Allylmagnesium, allylindium, and allylbismuth generally showed a preference for axial addition to cyclohexenones. Allylmagnesium was the most stereoselective. Reactions with an α-methylated enone (carvone) were the most selective, except that allylbismuth was unreactive with this substrate. 相似文献
78.
采用Monte Carlo模拟方法研究了多嵌段聚合物在A/B/嵌段聚合物三组份体系作为相容剂使用的有效性.占总体积19%的A组份在体系中为分散相.模拟结果显示了两嵌段和多嵌段聚合物在界面上的聚集行为,以及如何影响这个不相容体系的相形为.两嵌段聚合物趋于直立在相界面上,而多嵌段聚合物更容易横跨在相界面上并占据较大的界面积.从而导致多嵌段聚合物更有效的阻止体系相分离的发生. 相似文献
79.
80.